磁控濺射技術自誕生以來，得到（dào）了較快的發展和較廣的應用，對其他鍍膜方法的（de）發展產生了很大的影響。通過（guò）大量的實（shí）踐，芭乐视频ios真空總結出這種技術的優缺點，如下文所示。

　　優點：
　　1.沉（chén）積速率高（gāo），襯底（dǐ）溫（wēn）升低，對薄膜損傷小；
　　2.對於大多數材料，隻要能製造出（chū）靶材，就可以實現濺射；
　　3.濺射得到的薄膜與基底結（jié）合良好（hǎo）；
　　4.濺射得到的薄膜純度較高，密度好，均勻性好（hǎo）；
　　5.結果表明，濺射工（gōng）藝具有良好的（de）重複性，在大麵積襯底上可獲得厚（hòu）度均勻的薄膜（mó）；
　　6.可以準確控製塗層厚度，通過改變參數來控製薄膜的粒徑；
　　7.不同的金屬、合（hé）金和氧化物可以混合，同時濺（jiàn）射在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但是磁（cí）控濺射也存在一些問題
　　1.該技術所使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁場控製的區域是等離子體密度較（jiào）高的區域。在該技術中，我們可以看到濺射氣體氬在這一區域（yù）發出（chū）強烈的淡藍色光芒，形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的（de）部分，它會濺出一個圓形的溝槽（cáo）。環形磁場是電子運動的軌道，環（huán）形輝光和溝槽生動地表現了（le）這一點。靶材的濺射槽一旦穿透靶材，整（zhěng）個靶（bǎ）材就會報廢，靶（bǎ）材利用率不（bú）高，一般低於40%；
　　2.等離子體不穩定；
　　3.由於（yú）基本的磁通量均不能通過（guò）磁性靶，所以在靶（bǎ）麵附近（jìn）不可能產生外加磁場。

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