電子在電場的作用下加速飛（fēi）向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電（diàn）離出大量（liàng）的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶（bǎ）材原子（zǐ）,呈中性的（de）靶原子（或分子（zǐ））沉積在基片上成膜.二次電子在加速（sù）飛向基片的過程中受到磁場（chǎng）洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶麵的等離子（zǐ）體區域內,該區域內等離子體（tǐ）密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶（bǎ）麵作圓周運動,該電子的（de）運動路徑很（hěn）長,在運動過程中（zhōng）不斷（duàn）的與氬（yà）原（yuán）子發生（shēng）碰撞電離出（chū）大量的（de）氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子的（de）能量逐漸降低,擺脫（tuō）磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上.

        磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作（zuò）氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸（guī）宿.但一般基片與真空室及陽極在同一電（diàn）勢.磁場與（yǔ）電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈（chéng）三維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運（yùn）動.至於靶麵圓周型的（de）濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方（fāng）向不同（tóng）會（huì）對成膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的（de）不光磁控濺射,多（duō）弧鍍靶源,離子源,等離（lí）子源等都在次原理（lǐ）下工作.所不（bú）同的是電場方（fāng）向,電（diàn）壓電流大小而已.