偏壓（Bias)是指在鍍（dù）膜過程（chéng）中施加在基（jī）體上的負電壓。偏壓電源的正極接（jiē）到真空室上，同時真空（kōng）室接地，偏（piān）壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認（rèn）為是零電位，所以（yǐ）工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清（qīng）除基片上吸附的氣體和油汙等，有利於提高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子（zǐ）鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化（huà）作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓
直流（liú）疊加脈衝偏（piān）壓
雙（shuāng）極性脈衝偏壓

直流偏壓和脈衝（chōng）偏壓的比較

傳（chuán）統的電弧離子鍍是在（zài）基（jī）片台上施（shī）加直流負偏壓控製離子（zǐ）轟擊能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體（tǐ）溫升（shēng）高, 不利於在回火溫度（dù）低的基體上沉積硬質膜。
        高能離子轟（hōng）擊造成嚴（yán）重（chóng）的濺射, 不能簡單通過提高離子轟擊能量合成高反應閾能的硬質薄膜（mó）。
直（zhí）流偏壓電弧離（lí）子鍍工藝中,為了抑製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的基體溫度過高,主（zhǔ）要采取減少沉積功率、縮短沉積（jī）時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度，這些措施可以概括（kuò）地稱為能量控製法'這種方法雖然可（kě）以降低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下（xià）降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈（mò）衝偏壓電弧（hú）離子鍍工藝中,由於離子是以非連續（xù）的脈衝方式轟擊基體表（biǎo）麵,所以通過調節脈（mò）衝偏壓的占空比,可改變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積溫度的目的（de）。這樣就可以把施（shī）加偏（piān）壓的（de）脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或（huò）影響很小)調節,利用高壓脈衝來獲得高（gāo）能離子的轟擊效應以（yǐ）改善薄膜的組織和性能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響機製是（shì）很複雜的，下麵列出了（le）一些（xiē）主要影響，可以根據自己的使用工藝（yì），觀察總結，就可以很（hěn）快（kuài）摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜（mó）層結構、結（jié）晶（jīng）構造取向（xiàng）、組（zǔ）織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應（yīng）力

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