磁控濺射具有以下兩大優（yōu）點：提高（gāo）等離子密度，從而提高濺射速度；減少轟擊零（líng）件的電子數目，因而降低了基材因電（diàn）子轟擊（jī）的升溫。

因此（cǐ），該（gāi）技術在薄膜技術中占（zhàn）有主導地位。磁控濺射陰極的（de）最大（dà）缺點：使用平麵靶材，靶材在（zài）跑（pǎo）道區形成（chéng）濺射溝（gōu）道，這溝道一旦貫穿靶材，則整塊靶材即報廢，因而靶材的利用率隻有20-30%。

不過，目前為了避免這個缺點，很多靶材采用圓柱靶（bǎ）材形式，靶材利用率得以大幅度（dù）提高。