直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級（jí）濺射的基礎上，在靶材（cái）後麵安防磁鋼。可（kě）以用來濺射沉積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成靶材表麵電荷積累，從而導（dǎo）致（zhì）濺射無法進行。所以對於（yú）純金屬靶材的濺射，均（jun1）采用直流磁控濺射，如（rú）濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物、碳化物等，將（jiāng）少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一（yī）起輸入到（dào）真空腔中，使反應氣體與靶材原（yuán）子一起於基（jī）材上（shàng）沉積。

對於一些（xiē）不易找到的塊材料製成（chéng）靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易偏離原靶材成分，也可通過反應沉積來獲得改善。